Sumitomo Electric продемонстрировала новые решения в области GaN HEMT

Компания Sumitomo Electric Devices Innovations SEDI на Международной IMS 2018 в Филадельфии показала новые решения в области производства GaN HEMT – усилителей мощности S и X диапазона длин волн, предназначенные для использования в системах радиолокации: усилитель S-диапазона SGN3135-500H-R и Х-диапазона SGC0910-300A-R.

На сегодняшний день современные РЛС обеспечивают достаточно большие дальности раннего обнаружения целей при непрерывно уменьшающихся массо-габаритных показателях. Разработчики компании Sumitomo уверены в том, что GaN полупроводниковые структуры благодаря их высокой выходной мощности и широкой полосе рабочих частот способны вывести технические характеристики радаров на более высокий уровень.

Ниже представлены параметры усилителей мощности SGN3135-500H-R и SGC0910-300A-R, представленных на выставке.

Параметр

SGN3135-500H-R

SGC0910-300A-R

Выходная мощность типовая, Вт

570

340

КУ типовой, дБ

11,6

9,3

КПД типовой, %

58

35

Диапазон частот, ГГц

3,1 – 3,5

9,0 – 10,0

Волновое сопротивление по входу/выходу, Ом

50

50

Тип корпуса

Металло-керамический герметичный, тип IV

Металло-керамический герметичный, тип IK


Печать   E-mail