Ga-on-SiC-транзисторы от Qorvo повышают КПД и расширяют диапазон частот радиостанций военного и гражданского применения

Новое семейство компактных 50-вольтовых нитрид галлиевых транзисторов на подложке из карбида кремния были представлены компанией Qorvo в 2017 году. Эти транзисторы QPD1004, QPD1014, QPD1011 обладают улучшенными характеристиками, направленными на упрощение разработки ответственных узлов радиостанций военного и гражданского назначения.

Транзисторы согласованы по входу и имеют уменьшенные габаритные размеры, что позволяет применять их в разработке принципиально новых более компактных широкополосных устройствах связи. Типовая структура транзисторов представлена на рисунке 1.


Рисунок 1. Типовая структурная схема транзисторов QPD1004, QPD1014, QPD1011

Qorvo является единственным поставщиком 50-вольтовых широкополосных GaN-on-SiC-транзисторов. Транзисторы с более высоким напряжением обеспечивают ряд ключевых преимуществ, включая увеличение выходной мощности, снижение потерь, большую надежность. Широкополосное согласование и улучшенный КПД транзисторов позволяет оптимизировать конструкции плат при разработке спецтехники военного назначения.

Технические характеристики

Параметр

QPD1004

QPD1014

QPD1011

Диапазон рабочих частот, МГц

30-1200

Выходная мощность (P3dB), Вт

40

12,5

8,7

Коэффициент усиления, дБ

20,8

18,4

21

Типовой КПД, % (на частоте 1ГГц, под нагрузкой)

73,2

69,5

60

Напряжение питания, В

50

Корпус

8-выводной DFN (8x5x0,85 мм)


Области применения:
- Разработка устройств ограниченного размера;
- Радары военного и гражданского назначения;
- Радиостанции;
- Мобильная связь;
- Измерительное оборудование;
- Авиация.


Печать   E-mail