Новое семейство компактных 50-вольтовых нитрид галлиевых транзисторов на подложке из карбида кремния были представлены компанией Qorvo в 2017 году. Эти транзисторы QPD1004, QPD1014, QPD1011 обладают улучшенными характеристиками, направленными на упрощение разработки ответственных узлов радиостанций военного и гражданского назначения.
Транзисторы согласованы по входу и имеют уменьшенные габаритные размеры, что позволяет применять их в разработке принципиально новых более компактных широкополосных устройствах связи. Типовая структура транзисторов представлена на рисунке 1.
Рисунок 1. Типовая структурная схема транзисторов QPD1004, QPD1014, QPD1011
Qorvo является единственным поставщиком 50-вольтовых широкополосных GaN-on-SiC-транзисторов. Транзисторы с более высоким напряжением обеспечивают ряд ключевых преимуществ, включая увеличение выходной мощности, снижение потерь, большую надежность. Широкополосное согласование и улучшенный КПД транзисторов позволяет оптимизировать конструкции плат при разработке спецтехники военного назначения.
Технические характеристики
|
Параметр |
QPD1004 |
QPD1014 |
QPD1011 |
|
Диапазон рабочих частот, МГц |
30-1200 |
||
|
Выходная мощность (P3dB), Вт |
40 |
12,5 |
8,7 |
|
Коэффициент усиления, дБ |
20,8 |
18,4 |
21 |
|
Типовой КПД, % (на частоте 1ГГц, под нагрузкой) |
73,2 |
69,5 |
60 |
|
Напряжение питания, В |
50 |
||
|
Корпус |
8-выводной DFN (8x5x0,85 мм) |
||
Области применения:
- Разработка устройств ограниченного размера;
- Радары военного и гражданского назначения;
- Радиостанции;
- Мобильная связь;
- Измерительное оборудование;
- Авиация.